• [기타] 삼성램 최근꺼 읽는법 입니다.2013.01.23 AM 04:22

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몇일전에 여기 저기 질문글 올렸는데

제대로 아시는분이 하나도 없고

cooonjoy 싸이트에 어느분이 옛날에 댓글로 올려놓은걸
겨우 찾아서 알았네요..

여기 저기 올려져있는 엉터리 정보가 너무 많은데

또 그걸 너무 쉽게 의심없이 믿어버리는 분들이 많아서 안타 깝네요.

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JHMSGY = 박지윤 (2012/11/23 - 15:50:16)

삼성 2Gbit 컴포넌트(메모리칩) 다이의 역사입니다. 칩 한개당 256MB(8bit=1byte)이고 16개를 양면으로 PCB에 박아 4GB 메모리모듈 완성품이 되는거구요.

A가 60나노급(68나노) - 2007년 3분기 개발
B가 50나노급(56나노) - 2008년 4분기 양산 시작
C가 40나노급(48나노) - 2009년 3분기 양산 시작
D가 30나노급(35나노) - 2010년 3분기 양산 시작
E는 20나노 후반급(28나노 : 2X나노라고도 불림) - 2011년 4분기 양산 시작

4Gbit의 컴포넌트 경우에는 또 알파벳이 위와 다릅니다. 8GB짜리 모듈에 들어가고요.
A가 40나노급(48나노)
B가 30나노급(35나노)
C가 2X나노 후반급(28나노)
D가 2Y나노 중반급(25나노?)가 되는겁니다. - 이건 며칠전에 양산 시작했다고 기사에 떴죠
E가 2Z나노 초반급(?)가 되는거구요 - 내년 상반기 양산 목표라 기사 뜸

28나노를 30나노급으로 보는 분들도 계시는데
28살을 30대라고 안하지 않습니까? 십의 자리수가 중요하죠.
2Gbit급 A와 C다이의 경우도 각각 68나노 48나노인데 이것을 70나노대, 50나노대라고 하지 않구요.
그리고 기사나 업계의 동향에서 쓰이는 용어를 쓰는게 맞는겁니다.

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제꺼같은경우는 xxxxxxcb0-ck0 1247 이라고 써있는데요..

엉터리 정보에 따르면 c로 시작하면 40 나노 이지만

최근 나오는 제품은 4G bit 칲이 8개 박힌 것으로써
4기가 바이트 가 된것입니다. c로 시작되니 28 나노가 맞는것이죠.

상식적으로 생각해봐도 생산라인이 이미 28 나노 이하 급으로
변경된 상태인데 나중 주차 (12년47주차) 에 나온게 40 나노 일리가 없죠.,

다시한번 인터넷 엉터리 정보들을 조심해야 겠다고 느꼈습니다.

안그래도 정확히 아시는 분만 얘기해달라고 썼는데도 너무도 당당하게 엉터리 글을 써놓는 분들이 너무 많더군요..
댓글 : 1 개
저는 12년 44주차인데 40나노네요...
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