모건스탠리 "내년 D램 공급 부족률 23%" 전망
HBM 투자 쏠림에…범용 생산 확장 제약 가능성
낸드도 극적 반전 기대…신기술 QLC 수요 늘 듯
메모리 업황이 본격적인 회복기에 접어든 가운데, 최근 공급 부족 가능성까지 나오고 있다.
특히 인공지능(AI) 반도체용 고대역폭메모리(HBM)에 업계의 관심이 쏠리고 있지만, 정작 앞으로는 범용 메모리 시장에서 공급 부족 현상이 나타날 수 있다는 관측이다. 이에 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 업계 전반이 앞으로 범용 메모리 발 호재를 맞을 수 있다.
11일 업계에 따르면 글로벌 투자은행 모건스탠리는 최근 보고서에서 “AI의 급속한 발전으로 전례 없는 메모리 수요-공급 불균형이 나올 수 있다”며 “이는 메모리 가격 급등으로 이어질 것”이라고 전망했다.
보고서는 특히 D램의 경우 내년에 수요가 공급보다 23% 더 많은 극심한 ‘공급 부족’ 현상을 겪을 것으로 지목했다. HBM 공급 부족 비율(11%)보다 범용 메모리 부족이 훨씬 뚜렷할 수 있다는 것이다. 범용 메모리는 통상 명확한 규격이 정해진 제품으로, 최근 AI 반도체용 메모리인 HBM(고대역폭메모리) 등과 구분해 일반 메모리를 범용 메모리라고 부른다.
모건스탠리 측은 “D램 공급 부족과 지난 2년 동안의 CAPEX 부족, 새로운 웨이퍼 팹, 대규모 웨이퍼 부재로 인해 메모리 시장은 슈퍼 사이클(장기 호황)에 들어갈 수 있다”고 밝혔다.
특히 HBM 투자 쏠림 현상으로 범용 D램 공급 부족을 더 부추길 것이라는 진단이다.
HBM은 같은 용량의 범용 D램보다 2배 이상의 웨이퍼를 사용한다. 또 공정 난도가 높아 생산 수율도 낮은 편이다. 이에 D램 생산 능력 확대로 어려움에 처할 수 있다.
보고서는 “메모리 공급망이 HBM으로 빠르게 전환됨에 따라 일반 D램에 대한 투자 부족 현상이 나오고 있다”며 “2025년부터 스마트폰 및 개인용 컴퓨터의 AI 업그레이드 주기에 추가 메모리 용량이 필요하며, 그때까지 시장은 심각한 공급 부족을 보일 수 있다”고 내다봤다.
낸드 플래시 역시 눈높이가 높아지고 있다.
모건스탠리는 올해 범용 스토리지 제품 가격이 분기당 두 자릿수 상승률을 기록할 것으로 예측했다.
특히 초고밀도 QLC(쿼드 레벨 셀) 솔리드 스테이트 드라이브가 가격 인상을 주도할 것으로 전망했다. QLC는 데이터 저장 단위인 셀 한 개에 4개의 비트를 저장할 수 있는 신기술로, 단위 면적당 더 많은 정보를 기억할 수 있다.
시장조사업체 옴디아는 세계 낸드플래시 시장 규모가 AI 관련 수요 확대에 힘입어 지난해 387억달러(53조원)에서 오는 2028년 1148억달러(약 157조원)로 연평균 24%의 성장률을 기록할 것으로 예측한 바 있다. 올해 QLC 낸드 시장 규모는 전년 대비 85% 성장할 것이라는 전망이다.
모건스탠리는 최근 SK하이닉스의 내년 영업이익 전망치를 25조1040억원에서 46조1820억원으로 상향 조정하며, 그 근거로 내년 낸드 평균판매가격 변동률을 마이너스(-) 19.0%에서 18.6%로 수정했다. 이는 같은 기간 D램 평균 가격 증가율 전망치(5.9%)를 크게 웃도는 수준이다.
